電源管理芯片過熱會導(dǎo)致芯片性能退化甚至燒毀，破壞設(shè)備供電穩(wěn)定性，檢測需聚焦溫度監(jiān)測與散熱優(yōu)化，修復(fù)需確保芯片工作在安全溫度范圍，保障核心配件持續(xù)穩(wěn)定供電。從影響來看，首先是供電電壓波動，芯片過熱（如正常工作溫度≤85℃，過熱后升至 120℃）會導(dǎo)致其穩(wěn)壓功能退化，輸出電壓偏差從 ±2% 增至 ±10%（如 24V 供電降至 21.6V 或升至 26.4V），高頻模塊、信號處理單元等配件會因供電不穩(wěn)出現(xiàn)頻率漂移、轉(zhuǎn)換精度下降，料位檢測值頻繁波動（如 ±0.3m）。其次是芯片保護性 shutdown，過熱達(dá)到閾值（如 150℃）時，芯片會自動切斷輸出，導(dǎo)致設(shè)備突然斷電，未保存的料位數(shù)據(jù)丟失，同時可能引發(fā) MCU 程序跑飛，設(shè)備重啟后需重新配置參數(shù)，增加維護時間。此外，芯片壽命縮短，根據(jù) “熱失效模型"，芯片溫度每升高 10℃，壽命約縮短一半，長期過熱會使芯片壽命從 5 年縮短至 1 年，增加設(shè)備更換成本，且突發(fā)燒毀可能引發(fā)電源短路，損壞其他核心配件。檢測與修復(fù)步驟如下：檢測芯片溫度，準(zhǔn)備紅外測溫儀（精度 ±1℃）、熱成像儀：設(shè)備正常運行 1 小時后，測量電源管理芯片（如 MP2359）表面溫度，正常應(yīng)≤85℃，超過 100℃判定過熱；用熱成像儀觀察芯片周邊電路，若存在局部高溫區(qū)域（如周邊電阻溫度＞90℃），可能存在電路異常。排查過熱原因，檢查芯片：是否存在供電輸入電壓過高（如 24V 設(shè)備輸入 30V），需在輸入端加裝過壓保護模塊；測量芯片輸出電流，若超過額定電流（如芯片額定 2A，實際 2.3A），檢查下游配件是否存在短路（如信號處理單元主板短路），修復(fù)短路故障；檢查芯片散熱措施，若未安裝散熱片或散熱片松動，散熱不良會導(dǎo)致過熱。第三步修復(fù)過熱故障，針對原因處理：輸入電壓過高，加裝 DC-DC 降壓模塊（如將 30V 降至 24V）或過壓保護 TVS 管（如 SMBJ28CA）；輸出過載，修復(fù)下游短路配件，若負(fù)載確實較大，更換更高額定電流的電源管理芯片（如從 2A 更換為 3A）；散熱不良，安裝適配散熱片（如鋁制散熱片，面積≥10cm2），涂抹導(dǎo)熱硅脂（厚度 0.1-0.2mm），確保芯片與散熱片緊密貼合，必要時加裝小型散熱風(fēng)扇（如 5V/0.1A）。